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ZL216-C型導(dǎo)波雷達(dá)物位計(jì)

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產(chǎn)品簡(jiǎn)介

◇由于采用了的微處理器和的回波處理技術(shù)，導(dǎo)波雷達(dá)物位計(jì)可以應(yīng)用于各種復(fù)雜工況◇多種過程連接方式及探測(cè)組件的型式，使得列導(dǎo)波雷達(dá)物位計(jì)適于各種復(fù)雜工況及應(yīng)用場(chǎng)合。如：局溫、局壓及小介電常數(shù)介質(zhì)等 ◇采用脈沖工作方式，導(dǎo)波雷達(dá)物位計(jì)發(fā)射功率極低，可安裝于各種金屬、非金屬容器內(nèi)，對(duì)人體及環(huán)境均無傷害

詳細(xì)介紹

導(dǎo)播雷達(dá)發(fā)出的高頻微波脈沖沿著探測(cè)組件（鋼纜或鋼棒）傳播，遇到被測(cè)介質(zhì)，由于介電常數(shù)突變，引起反射，一部分脈沖能量被反射回來。發(fā)射脈沖與反射脈沖的時(shí)間間隔與被測(cè)介質(zhì)的距離成正比。

容器中存在兩種不同介質(zhì)，當(dāng)上面一層的介質(zhì)介電常數(shù)較小，而下面的介質(zhì)介電常數(shù)較大時(shí)，高頻微脈沖沿著探測(cè)組件傳播遇到上層介質(zhì)時(shí)，由于其介電常數(shù)較小，因而有極少的能量被這一層介面反射，而大部分能量穿透上層介質(zhì)繼續(xù)向下傳播，遇到兩層的介面時(shí)，由于下層介質(zhì)的介電常數(shù)較大，因而會(huì)有較大的能量被反射回來。因此導(dǎo)波雷達(dá)可以測(cè)量?jī)煞N不同介質(zhì)的介面，其測(cè)量條件是上層介質(zhì)不導(dǎo)電或其介電常數(shù)比下層介質(zhì)介電常數(shù)小10以上。

1.盡量遠(yuǎn)離出料口和進(jìn)料口。
2.金屬罐在整個(gè)量程范圍內(nèi)不碰罐壁及罐底。
3. 建議安裝在料倉(cāng)直徑的1/4或1/6處，與罐
4.壁的最小距離為測(cè)量范圍的1/10。
5.纜式或桿式探頭離罐壁最小距離≥300mm。
6.探頭底部距罐底≥30mm。
7. 探頭距罐內(nèi)障礙物最小距離≥200mm。
8.如果容器底部是錐型的，可以安裝罐頂。

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